美银证券最新研究报告指出，全球存储芯片行业商业模式日益趋近芯片代工行业，呈现周期性显著减弱、价格趋于稳定、利润率持续提升的“类代工”特征。这一转型受多重因素支撑：2026年初DRAM与NAND现货价格继续大幅上涨，其中DDR4价格单月涨幅超2000%；台积电释放的强劲业绩指引亦印证产业链高景气度，尤其利好SK海力士等存储龙头。
据硬AI，在近期美国东西海岸的路演中，美银团队观察到多数投资者认可当前存储周期强度远超以往，并已从中获得可观回报，但市场情绪明显分化：既有坚定看好AI驱动行业长期繁荣的乐观派，也不乏担忧估值已高、后续动能可持续性的谨慎派。
投资者主要关注以下几点风险：行业经历2-3年上涨后，市净率已处历史高位；资本支出持续上升，三星电子等龙头企业大幅扩产；2026年下半年后平均售价（ASP）上涨动力可能放缓；市场仍对2019年云计算硬件周期后的需求回调记忆犹新；以及IT生产节奏与DRAM供应之间存在结构性矛盾。
尽管存在这些担忧，报告提出的核心逻辑存储行业正转向“高利润、稳价格、弱周期”的运营模式仍获得广泛认同。即使2026年第二季度后ASP上涨动能可能减弱，行业仍有望维持高景气区间，形成以利润率为核心的“超级周期”。此外，传统DRAM产能正加速转向HBM或向LPDDR5/GDDR7等高端产品升级，多芯片集成方案的销售也延续增长趋势。
值得关注的是，部分激进投资者认为，若SK海力士盈利能力能够对标台积电，其市值有望上看万亿美元规模。但报告同时警示，NAND市场可能在2026年底因产能释放与制程向200-300层迁移而面临新的供需平衡压力。
台积电增长指引利好海力士，三星承压明显台积电近期公布的业绩指引被视为行业关键风向标：公司预计2026年营收复合增长率将达30%，并到2029年保持年均超过20%的增速，年资本支出将维持在500亿美元以上。这一乐观展望与SK海力士在HBM市场的领先地位紧密相关，后者目前占据全球HBM供应份额的60%以上。上述态势正重塑行业竞争格局。台积电凭借其在2纳米制程与CoWoS先进封装技术的持续领先，不断巩固技术壁垒，限制了三星电子在晶圆代工领域的追赶空间。财务对比亦凸显差距：三星晶圆代工业务仍处亏损，而台积电营业利润率长期高于50%。
在此产业联动下，SK海力士作为台积电核心HBM供应商的战略地位进一步强化，不仅巩固了其在存储芯片领域的竞争优势，也推动了从先进制程、高端封装到高性能存储的闭环生态的形成。
现货价格狂飙 供应持续紧缩报告指出，DRAM现货市场正呈现极度紧张态势。今年1月上半月，DDR4与DDR5现货价格延续强势，周涨幅均达约10%，延续了自2025年第四季度以来累计100%-200%的上涨趋势。
具体来看：16Gb DDR5现货价格已升至35.0美元，周涨10%，季涨238%，年涨幅高达647%；16Gb DDR4现货价达75.8美元，周涨7%，季涨323%，年涨幅更达2315%；8Gb DDR4现货价也攀升至29.1美元，年涨幅达1886%。
值得关注的是，DDR4现货价格出现结构性“倒挂”：自2025年6月起，16Gb DDR4价格（75美元）已显著高于同规格DDR5（35美元），形成罕见的价格倒挂现象。这主要源于三大存储芯片制造商持续将传统DDR4产能转向更先进制程，导致DDR4供给端持续紧缩。目前，制造商与OEM厂商对传统DRAM模组的供应保障仍存担忧。报告预计现货价格仍具进一步上涨动力，尽管当前涨势部分受投机交易推动，而非完全由实际需求支撑。此外，NAND现货价格同样保持上扬，本周涨幅介于5%-10%之间。
贸易数据印证景气度韩国半导体出口数据持续印证行业高景气度。2026年1月前10天，半导体出口额达46亿美元，同比大幅增长46%，虽环比回落12%，仍处于历史高位水平。至此，韩国半导体出口已连续25个月实现同比增长，增速与2025年11月（+18%）及12月（+46%）的高位态势保持一致。
展望后市，建议投资者重点关注2026年下半年NAND市场潜在的供需机遇，同时密切关注资本开支扩张对行业长期盈利结构的影响。整体而言，存储芯片行业向“类晶圆代工”模式的结构性转型，正推动板块突破传统周期性估值逻辑，开启具备持续性的价值重估进程。
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